Desafíos de procesamiento de componentes clave de semiconductores de tercera generación-
Como componentes centrales de los semiconductores de tercera-generación, las bandejas y mandriles de oblea de carburo de silicio se utilizan ampliamente en dispositivos de alta-temperatura y alta-frecuencia debido a su resistencia a la corrosión y su alta conductividad térmica. Sin embargo, el carburo de silicio tiene una dureza de hasta HV2.002 y es probable que se produzcan problemas como astillas, planitud y acabado deficientes durante el procesamiento. Los procesos tradicionales son ineficientes y costosos, lo que se ha convertido en un problema que restringe el desarrollo de la industria.

Enfoque del caso: Procesamiento de mandril de bandeja de oblea de carburo de silicio
Parámetros del producto de procesamiento
Material: Carburo de Silicio (SiC)
Características: Rectificado de precisión de estructuras de cavidades y ranuras
Tamaño: Diámetro 380 mm × Espesor 5 mm
Dureza: HV2,002 (cerca de la dureza del diamante natural)
Análisis de antecedentes y dificultad
1.Demanda de la industria : Con la tendencia a la miniaturización y el alto rendimiento de los equipos semiconductores, los componentes de carburo de silicio deben tener estructuras complejas y una precisión ultra-alta.
2.Dificultades de procesamiento :
Alto riesgo de astillado: el material es quebradizo y un control inadecuado de la fuerza de corte puede provocar fácilmente defectos en los bordes.
Desgaste rápido de las herramientas: la vida útil de las herramientas tradicionales es inferior a 159 minutos y los cambios frecuentes de herramientas afectan la capacidad de producción.
Baja eficiencia: el procesamiento de una sola-pieza tarda hasta 888 minutos, lo que resulta difícil de satisfacer las necesidades de producción en masa.
BISHENSoluciones: la tecnología de mecanizado de precisión ultrasónica subvierte los procesos tradicionales
Apuntando a los puntos débiles del procesamiento de carburo de silicio, BISHEN Solutions propone una combinación de tecnología innovadora:
Grabado y fresado de precisión ultrasónico: Reduce la resistencia al corte y la concentración de tensión del material mediante vibraciones de alta-frecuencia y suprime el desconchado desde la fuente.
Fresa de microhoja{0}}PCD integral: Adopte herramientas superduras de diamante policristalino (PCD), con una precisión de hoja de nivel de micras, teniendo en cuenta la resistencia al desgaste y la estabilidad del corte.
Optimización inteligente de los parámetros del proceso: Haga coincidir la amplitud ultrasónica y la velocidad de alimentación para lograr un equilibrio entre la tasa de eliminación de material y la calidad de la superficie.
Doble avance en eficiencia y coste
Después de aplicar las soluciones BISHEN, el procesamiento de piezas de carburo de silicio ha mejorado significativamente:
La tasa de astillado se ha reducido en un 60%: La tecnología ultrasónica reduce la fuerza de corte en un 45 % y la integridad del borde alcanza el estándar de acabado Ra0,2 μm.
La eficiencia aumentó en un 48%: El tiempo de procesamiento de una sola-pieza se redujo de 888 minutos a 462 minutos y la capacidad de producción se duplicó.
La vida útil de la herramienta se duplicó: El tiempo de trabajo de la herramienta PCD se amplió de 159 minutos a 317 minutos y los costos directos se redujeron en un 35 %.
Acerca de BISHEN
BISHÉN(Bishen Technology) se ha centrado en el mecanizado de precisión durante más de diez años y está comprometido a proporcionar soluciones de procesamiento de materiales de alta-dificultad para las industrias de semiconductores, óptica, aeroespacial y otras. La empresa toma la tecnología de mecanizado asistido por ultrasonidos como núcleo, combinada con herramientas de desarrollo propio-y sistemas de procesos inteligentes, para ayudar a los clientes a superar los cuellos de botella de eficiencia y lograr la sustitución nacional de la fabricación de alta-.







